多層チップインダクタ - CL1608
CL1608は、高密度実装のための1.60×0.80×0.80 mmのクローズドコア多層インダクタ設計を通じて、タイトなレイアウトでEMI抑制を提供します。
多層チップインダクタ - CL2012
CL2012は、ポータブル電子機器向けに特別に設計された2.00×1.25×0.85 mmのクローズドフラックス多層インダクタを使用して、安定したインピーダンスとクロストークの低減を提供します。
多層チップインダクタ - CL3216
CL3216は、PCやHDDにおいて、一定のインピーダンスを持つ3.20×1.60×1.10...
多層高電流チップインダクタ - CL2012C
CL2012Cは、密な回路レイアウト用のコンパクトな2.00×1.25×1.00 mmのクローズドコア多層設計で高電流EMIフィルタリングを提供します。
多層高電流チップインダクタ - CL2016C
CL2016Cは、ポータブル電子機器用の2.00×1.60×1.00 mmのクローズドフラックス多層形状で、優れた電流処理能力とEMI抑制を実現します。
多層高電流チップインダクタ - CL2520C
CL2520Cは、2.50×2.00×1.00 mmの閉じた磁気回路多層チップインダクタにおいて、最大の電流容量とノイズ除去を保証します。
多層高周波チップインダクタ - HCL0603
HCL0603は、ポータブルコンシューマーエレクトロニクス向けの超コンパクトな0.60×0.30×0.30...
多層高周波チップインダクタ - HCL1005
HCL1005は、スペース制約のある回路設計に最適化された1.00×0.50×0.50 mmの多層高周波チップインダクタで、低インダクタンスのEMI抑制を提供します。
多層高周波チップインダクタ - HCL1608
HCL1608は、6 GHzまでのRFアプリケーション向けに、1.60×0.80×0.80 mmのSMDチップインダクタで優れたQファクターとSRF性能を組み合わせています。
多層高周波チップインダクタ - HCL2012
HCL2012は、通信およびネットワーキング機器に最適な、堅牢な2.00×1.25×0.85...
ワイヤー巻きセラミックチップインダクタ - WHI0402
WHI0603は、RFモジュールに適したコンパクトな1.80×1.12×1.02 mmのワイヤー巻きセラミックチップインダクタで、優れた高周波性能を提供します。
ワイヤー巻きセラミックチップインダクタ - WHI0603
WHI0805は、GHz範囲のフィルタリングに最適化された2.29×1.73×1.52 mmのワイヤー巻きセラミックチップインダクタで、優れたQとSRFを提供します。